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代理日本品牌：OTSUKA大塚電子（薄膜測(cè)厚儀、相位差膜設(shè)備等）、USHIO牛尾點(diǎn)光源、CCS檢查光源、Aitec艾泰克、REVOX萊寶克斯、ONOSOKKI小野測(cè)器、YAMATO雅馬拓、KOSAKA小坂臺(tái)階儀、SEN特殊光源、TSUBOSAKA壺坂電機(jī)、NEWKON新光、TOKISANGYO東機(jī)產(chǎn)業(yè)、tokyokeiso東京計(jì)裝、leimac雷馬克、MIKASA米卡薩勻膠機(jī)、COSMO科斯莫、SAKURAI櫻井無塵紙、TOE東京光電子、EYE巖崎UV燈管、SANKO山高、HOYA豪雅光源、日本IMV愛睦威地震儀、HOKUYO北陽(yáng)電機(jī)、SAKAGUCHI坂口電熱、ThreeBond三鍵膠水等.
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產(chǎn)品詳情
簡(jiǎn)單介紹：
代理Otsuka大塚電子橢圓偏振光測(cè)量?jī)xFE-300 多功能橢偏儀 橢偏儀系統(tǒng) 橢圓偏振光測(cè)量?jī)x
詳情介紹：
產(chǎn)品信息
特點(diǎn)
- 支持從薄膜到厚膜的廣泛薄膜厚度
- 使用反射光譜進(jìn)行薄膜厚度分析
- 緊湊、低成本、非接觸式、無損、高精度測(cè)量
- 易于設(shè)置條件和測(cè)量操作！ 任何人都可以輕松測(cè)量薄膜厚度
- 通過峰值巴雷法、頻率分析法、非線性*小二乘法、優(yōu)化法等多種膜厚度測(cè)量
- 非線性*小二乘法的厚度分析算法允許光學(xué)常數(shù)分析（n：折射率、k：消光計(jì)數(shù)）
測(cè)量項(xiàng)目
- **反射率測(cè)量
- 薄膜厚度分析（10層）
- 光學(xué)常數(shù)分析（n：折射率，k：消光計(jì)數(shù)）
測(cè)量對(duì)象
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功能膜、塑料
透明導(dǎo)電膜（ITO、銀納米線）、緩速膜、偏振膜、AR膜、PET、PEN、TAC、PP、PC、PE、PVA、粘合劑、粘合劑、保護(hù)膜、硬涂層、防指紋劑等。 -
半導(dǎo)體
化合物半導(dǎo)體、Si、氧化膜、氮化膜、Resist、SiC、GaAs、GaN、InP、InGaAs、SOI、Sapphire 等。 -
表面處理
DLC 涂層、防銹劑、防霧劑等 -
光學(xué)材料
過濾器、AR 涂層等 -
FPD
LCD（CF、ITO、LC、PI）、OLED（有機(jī)膜、密封劑）等 -
其他
硬盤、磁帶、建筑材料等
原則
測(cè)量原理
Otsuka 電子采用光干涉法和內(nèi)部制造的高精度分光光度計(jì)，可實(shí)現(xiàn)非接觸式、無損和高速高精度薄膜厚度測(cè)量。 光干涉法是一種利用光學(xué)系統(tǒng)獲得的反射率來確定光學(xué)厚度的方法，如圖2所示。該光學(xué)系統(tǒng)使用光譜光度計(jì)獲得光學(xué)厚度。 以涂覆在金屬基板上的膜為例，從目標(biāo)樣品上方入射的光在膜表面反射（R1）。 此外，通過薄膜（R2）的光在基板（金屬）或膜界面反射。 測(cè)量由光路差引起的相位偏移引起的光干涉現(xiàn)象，并從獲得的反射光譜和折射率計(jì)算薄膜厚度的方法稱為光干涉法。 有四種分析方法：峰巴雷法、頻率分析法、非線性*小二乘法和優(yōu)化法。
規(guī)格
手勢(shì)
| 測(cè)量波長(zhǎng)范圍 | 300～800nm | |
|
測(cè)量膜厚度范圍 （SiO2轉(zhuǎn)換） |
3nm～35μm | |
| 點(diǎn)直徑 | φ1.2mm | |
| 樣本大小 | φ200×5(H)mm | |
| 測(cè)量時(shí)間 | 0.1~10s以內(nèi) | |
| 電源 | AC100V±10% 300VA | |
| 尺寸、重量 | 280（W)×570（D)×350（H）mm、24kg | |
| 其他 | 參考板，食譜創(chuàng)建服務(wù) | |
軟件屏幕
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