在高精度薄膜分析的光譜橢偏儀之上,增加安裝了測量角度可自動變化裝置,可對應所有種類的薄膜。在傳統(tǒng)旋轉分析儀法之上,通過安裝相位差板自動分離裝置,提高了測量精度。
產(chǎn)品信息
特點
可在紫外和可見(250至800nm)波長區(qū)域中測量橢圓參數(shù)
可分析納米級多層薄膜的厚度
可以通過超過400ch的多通道光譜快速測量Ellipso光譜
通過可變反射角測量,可詳細分析薄膜
通過創(chuàng)建光學常數(shù)數(shù)據(jù)庫和追加菜單注冊功能,增強操作便利性
通過層膜貼合分析的光學常數(shù)測量可控制膜厚度/膜質(zhì)量
測量項目
測量橢圓參數(shù)(TANψ,COSΔ)
光學常數(shù)(n:折射率,k:消光系數(shù))分析
薄膜厚度分析
用途
半導體晶圓 柵氧化膜,氮化膜 SiO2,SixOy,SiN,SiON,SiNx,Al2O3,SiNxOy,poly-Si,ZnSe,BPSG,TiN 光學常數(shù)(波長色散)
復合半導體 AlxGa(1-x)多層膜、非晶硅
FPD 取向膜 等離子顯示器用ITO、MgO等
各種新材料 DLC(類金剛石碳)、超導薄膜、磁頭薄膜
光學薄膜 TiO2,SiO2多層膜、防反射膜、反射膜
光刻領域 g線(436nm)、h線(405nm)、i線(365nm)和KrF(248nm)等波長的n、k評估
原理
包括s波和p波的線性偏振光入射到樣品上,對于反射光的橢圓偏振光進行測量。s波和p波的位相和振幅獨立變化,可以得出比線性偏振光中兩種偏光的變換參數(shù),即p波和S波的反射率的比tanψ相位差Δ。
產(chǎn)品規(guī)格
*1可以驅動偏振器,可以分離不感帶有效的位相板。 *2取決于短軸?角度。 *3對應微小點(可選) *4它是使用VLSI標準SiO2膜(100nm)時的值。 *5可以在此波長范圍內(nèi)進行選擇。 *6光源因測量波長而異。 *7選擇自動平臺時的值。
測量示例
以梯度模型分析ITO結構[FE-0006]
作為用于液晶顯示器等的透明電極材料ITO(氧化銦錫),在成膜后的退火處理(熱處理)可改善其導電性和色調(diào)。此時,氧氣狀態(tài)和結晶度也發(fā)生變化,但是這種變化相對于膜的厚度是逐漸變化的,不能將其視為具有光學均勻組成的單層膜。 以下介紹對于這種類型的ITO,通過使用梯度模型,從上界面和下界面的nk測量斜率。
考慮到表面粗糙度測量膜厚度值[FE-0008]
當樣品表面存在粗糙度(Roughness)時,將表面粗糙度和空氣(air)及膜厚材料以1:1的比例混合,模擬為“粗糙層”,可以分析粗糙度和膜厚度。以下介紹了測量表面粗糙度為幾nm的SiN(氮化硅)的情況。
使用非干涉層模型測量封裝的有機EL材料[FE-0011]
有機EL材料易受氧氣和水分的影響,并且在正常大氣條件下它們可能會發(fā)生變質(zhì)和損壞。因此,在成膜后立即用玻璃密封。以下介紹在密封狀態(tài)下通過玻璃測量膜厚度的情況。玻璃和中間空氣層使用非干涉層模型。
使用多點相同分析測量未知的超薄nk[FE-0014]
為了通過擬合*小二乘法來分析膜厚度值(d)需要材料nk。如果nk未知,則d和nk都被分析為可變參數(shù)。然而,在d為100nm或更小的超薄膜的情況下,d和nk是無法分離的,因此精度將降低并且將無法求出**的d。在這種情況下,測量不同d的多個樣本,假設nk是相同的,并進行同時分析(多點相同分析),則可以高精度、**地求出nk和d。
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