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    1. 產(chǎn)品中心
      產(chǎn)品詳情
      • 產(chǎn)品名稱:日本大冢嵌入式膜厚儀FE-5000S

      • 產(chǎn)品型號: FE-5000S
      • 產(chǎn)品廠商:OTSUKA大塚電子
      • 產(chǎn)品價格:0
      • 折扣價格:0
      • 產(chǎn)品文檔:
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      簡單介紹:
      日本大冢嵌入式膜厚儀FE-5000S 日本大冢嵌入式膜厚儀FE-5000S日本大冢嵌入式膜厚儀FE-5000S
      詳情介紹:

      嵌入式膜厚儀FE-5000


      橢圓偏光儀FE-5000在高精度薄膜分析的光譜橢偏儀之上,增加安裝了測量角度可自動變化裝置,可對應所有種類的薄膜。在傳統(tǒng)旋轉分析儀法之上,通過安裝相位差板自動分離裝置,提高了測量精度。

       

       

       

       

       

       

       

       

      產(chǎn)品信息

      特點

      • 可在紫外和可見(250至800nm)波長區(qū)域中測量橢圓參數(shù)

      • 可分析納米級多層薄膜的厚度

      • 可以通過超過400ch的多通道光譜快速測量Ellipso光譜

      • 通過可變反射角測量,可詳細分析薄膜

      • 通過創(chuàng)建光學常數(shù)數(shù)據(jù)庫和追加菜單注冊功能,增強操作便利性

      • 通過層膜貼合分析的光學常數(shù)測量可控制膜厚度/膜質(zhì)量

      測量項目

      • 測量橢圓參數(shù)(TANψ,COSΔ)

      • 光學常數(shù)(n:折射率,k:消光系數(shù))分析

      • 薄膜厚度分析

      用途

      • 半導體晶圓
        柵氧化膜,氮化膜
        SiO2,SixOy,SiN,SiON,SiNx,Al2O3,SiNxOy,poly-Si,ZnSe,BPSG,TiN
        光學常數(shù)(波長色散)

      • 復合半導體
        AlxGa(1-x)多層膜、非晶硅

      • FPD
        取向膜
        等離子顯示器用ITO、MgO等

      • 各種新材料
        DLC(類金剛石碳)、超導薄膜、磁頭薄膜

      • 光學薄膜
        TiO2,SiO2多層膜、防反射膜、反射膜

      • 光刻領域
        g線(436nm)、h線(405nm)、i線(365nm)和KrF(248nm)等波長的n、k評估

       原理

       包括s波和p波的線性偏振光入射到樣品上,對于反射光的橢圓偏振光進行測量。s波和p波的位相和振幅獨立變化,可以得出比線性偏振光中兩種偏光的變換參數(shù),即p波和S波的反射率的比tanψ相位差Δ。

      產(chǎn)品規(guī)格

      型號 FE-5000S FE-5000
      測量樣品 反射測量樣品
      樣品尺寸 100x100毫米 200x200毫米
      測量方法 旋轉分析儀方法*1
      測量膜厚范圍(ND) 0.1納米-
      入射(反射)的角度范圍 45至90° 45至90°
      入射(反射)的角度驅動方式 自動標志桿驅動方法
      入射點直徑*2 關于φ2.0 關于φ1.2sup*3
      tanψ測量精度 ±0.01以下
      cosΔ測量精度 ±0.01以下
      薄膜厚度的可重復性 0.01%以下*4
      測定波長范圍*5 300至800納米 250至800納米
      光譜檢測器 多色儀(PDA,CCD)
      測量用光源 高穩(wěn)定性氙燈*6
      平臺驅動方式 手動 手動/自動
      裝載機兼容 不可
      尺寸,重量 650(W)×400(D)×560(H)mm
           約50公斤
      1300(W)×900(D)×1750(H)mm
           約350公斤*7
      軟件
      分析 *小二乘薄膜分析(折射率模型函數(shù),Cauchy色散方程模型方程,nk-Cauchy色散模型分析等)
           理論方程分析(體表面nk分析,角度依賴同時分析)

      *1可以驅動偏振器,可以分離不感帶有效的位相板。
      *2取決于短軸?角度。
      *3對應微小點(可選)
      *4它是使用VLSI標準SiO2膜(100nm)時的值。
      *5可以在此波長范圍內(nèi)進行選擇。
      *6光源因測量波長而異。
      *7選擇自動平臺時的值。

      測量示例

      以梯度模型分析ITO結構[FE-0006]

      作為用于液晶顯示器等的透明電極材料ITO(氧化銦錫),在成膜后的退火處理(熱處理)可改善其導電性和色調(diào)。此時,氧氣狀態(tài)和結晶度也發(fā)生變化,但是這種變化相對于膜的厚度是逐漸變化的,不能將其視為具有光學均勻組成的單層膜。
      以下介紹對于這種類型的ITO,通過使用梯度模型,從上界面和下界面的nk測量斜率。

       FE5_m_01.jpg

      FE5_m_02.jpg

      考慮到表面粗糙度測量膜厚度值[FE-0008]

      當樣品表面存在粗糙度(Roughness)時,將表面粗糙度和空氣(air)及膜厚材料以1:1的比例混合,模擬為“粗糙層”,可以分析粗糙度和膜厚度。以下介紹了測量表面粗糙度為幾nm的SiN(氮化硅)的情況。

       APP8-1.jpg

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      使用非干涉層模型測量封裝的有機EL材料[FE-0011]

      有機EL材料易受氧氣和水分的影響,并且在正常大氣條件下它們可能會發(fā)生變質(zhì)和損壞。因此,在成膜后立即用玻璃密封。以下介紹在密封狀態(tài)下通過玻璃測量膜厚度的情況。玻璃和中間空氣層使用非干涉層模型。

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      APP11-2.jpg

      使用多點相同分析測量未知的超薄nk[FE-0014]

      為了通過擬合*小二乘法來分析膜厚度值(d)需要材料nk。如果nk未知,則d和nk都被分析為可變參數(shù)。然而,在d為100nm或更小的超薄膜的情況下,d和nk是無法分離的,因此精度將降低并且將無法求出**的d。在這種情況下,測量不同d的多個樣本,假設nk是相同的,并進行同時分析(多點相同分析),則可以高精度、**地求出nk和d。

      APP14-1.jpg

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