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      日本HORIBA堀場(chǎng):計(jì)量學(xué),HORIBA 的顆粒檢測(cè)和去除系統(tǒng)對(duì)于提高半導(dǎo)體光刻工藝的產(chǎn)能至關(guān)重要。

      日期:2025-07-03 16:30
      瀏覽次數(shù):234
      摘要:日本HORIBA堀場(chǎng):計(jì)量學(xué),HORIBA 的顆粒檢測(cè)和去除系統(tǒng)對(duì)于提高半導(dǎo)體光刻工藝的產(chǎn)能至關(guān)重要。

      日本HORIBA堀場(chǎng):計(jì)量學(xué),HORIBA 的顆粒檢測(cè)和去除系統(tǒng)對(duì)于提高半導(dǎo)體光刻工藝的產(chǎn)能至關(guān)重要。

      日本HORIBA堀場(chǎng):顆粒檢測(cè)系統(tǒng)

      半導(dǎo)體制程綜合顆粒檢測(cè)



      For Semiconductor manufacturing processes, where the most advanced micro-fabrication techniques are used, quality management is a critical issue that directly impacts business.

      It is important to constantly inspect for the presence of particle contamination. By making use of advanced analysis technologies, HORIBA provides cost effective leading-edge particle detection solution to semiconductor manufactures.






      日本HORIBA堀場(chǎng) 薄膜分析

      薄膜分析

      Thin Film Analysis

      薄膜表征在新材料的研發(fā)階段很重要,有助于有效的縮短新產(chǎn)品的上市時(shí)間,同時(shí)薄膜分析在計(jì)量步驟中也很重要,這是提高生產(chǎn)線成品率以減少晶圓間差異所必需的。作為從深紫外到 XRF 的光譜學(xué)領(lǐng)域的制造商,HORIBA 提供一系列專業(yè)的**材料和薄膜分析工具,可用于研發(fā)、在線應(yīng)用或集成到制程處理室中。

      主要優(yōu)點(diǎn):

      • 單傳感器或多傳感器平臺(tái)
      • 適用于 4 英寸、6 英寸、8 英寸和 12 英寸晶圓
      • 快速測(cè)量
      • 模塊化且易于定制的 OEM 集成
      • 全球應(yīng)用支持。



      日本HORIBA堀場(chǎng) LEM Series

      基于實(shí)時(shí)激光干涉測(cè)量的攝像頭終點(diǎn)監(jiān)測(cè)


      我們的實(shí)時(shí)干涉工藝監(jiān)測(cè)儀可在蝕刻/沉積制程中對(duì)薄膜厚度和溝槽深度進(jìn)行高精度檢測(cè)。根據(jù)應(yīng)用的不同,LEM 攝像頭包含 670、905 或 980 nm 激光器,當(dāng)安裝在任何干法蝕刻/沉積制程處理室上,直接俯視晶圓時(shí),會(huì)在樣品表面產(chǎn)生小激光點(diǎn)。

      單色光照射到樣品表面時(shí)會(huì)發(fā)生干涉,由于薄膜的厚度和高度變化,會(huì)導(dǎo)致不同的光程長(zhǎng)度。
      可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)蝕刻/沉積速率和厚度,也允許條紋計(jì)數(shù)或更復(fù)雜的分析,為各種工藝提供增強(qiáng)的制程控制終點(diǎn)檢測(cè)。此外,接口可通過(guò)其反射率的變化來(lái)檢測(cè)。


      事業(yè)部: 半導(dǎo)體
      產(chǎn)品分類: 干法制程控制
      制造商: HORIBA France SAS



      一般特征

      由于采用干涉測(cè)量技術(shù),LEM 攝像頭非常適合蝕刻/沉積速率監(jiān)測(cè)、條紋計(jì)數(shù)和終點(diǎn)檢測(cè),提供薄膜厚度和溝槽深度以及接口的高精度檢測(cè)。
      LEM 攝像頭可以安裝在任何處理室上,直接俯視晶圓,并提供樣品表面的實(shí)時(shí)數(shù)字 CCD 圖像,使光斑定位更簡(jiǎn)單。



      GD-Profiler 2?輝光放電光譜儀

      用輝光放電光譜儀去發(fā)現(xiàn)一個(gè)嶄新的信息世界


      GD-Profiler 2? 可以快速、同時(shí)分析所有感興趣的元素,包括氣體元素N、O、H和Cl,是薄膜和厚膜表征和工藝研究的理想工具。

      GD-Profiler 2? 配備的射頻源可在脈沖模式下對(duì)易碎樣品進(jìn)行測(cè)試,廣泛應(yīng)用于高校以及工業(yè)研究實(shí)驗(yàn)室,其應(yīng)用范圍有腐蝕研究、PVD 涂層工藝控制、PV 薄膜開發(fā)以及LED 質(zhì)量控制等。

      事業(yè)部: 科學(xué)儀器
      產(chǎn)品分類: 輝光放電發(fā)射光譜儀(GD-OES)
      制造商: HORIBA France SAS




      • 射頻發(fā)生器是 E 類標(biāo)準(zhǔn),對(duì)穩(wěn)定性和濺射坑形狀都進(jìn)行了優(yōu)化以滿足實(shí)時(shí)表面分析。

      • 射頻源可以分析傳統(tǒng)和非傳統(tǒng)鍍層和材料,對(duì)于易碎樣品,還可以使用脈沖式同步采集優(yōu)化測(cè)試。

      • 從 110nm到 800nm 同步全光譜覆蓋,包括分析 H、O、C、N 和 Cl 的深紫外通道。

      • HORIBA 研發(fā)的離子刻蝕型全息光柵具有高的光通量和光譜分辨率,光學(xué)效率和靈敏度都表現(xiàn)優(yōu)良。

      • HDD 探測(cè)器兼具檢測(cè)速度和靈敏度。

      • 內(nèi)置的微分干涉儀DIP可實(shí)時(shí)測(cè)量濺射坑深度和剝蝕速率。

      • 寬敞簡(jiǎn)潔的大樣品倉(cāng)易于裝卸樣品,操作簡(jiǎn)單。

      • QUANTUM? 軟件配置了Tabler 報(bào)告編寫工具。

      • **激光中心定位裝置(**號(hào):Fr0107986/國(guó)際**種類:G01N 21/67)可定位樣品測(cè)試位置。

       HORIBA 的輝光放電光譜儀可以選配單色儀,實(shí)現(xiàn)n+1元素通道的同時(shí)也提高了設(shè)備的靈活性。

      • 輝光源結(jié)合超快速、高分辨的同步光學(xué)器件,可對(duì)導(dǎo)體、非導(dǎo)體和復(fù)合材料進(jìn)行快速元素深度剖析。

      • 適用于薄膜和厚膜——從納米到數(shù)百微米,且具有納米級(jí)深度分辨率。

      • 典型應(yīng)用領(lǐng)域包括光伏、冶金、LED 制造、腐蝕研究、有機(jī)和微電子、材料研發(fā)、沉積工藝優(yōu)化、PVD、CVD、等離子涂層、汽車、鋰電池等。

      • 不需要超高真空。

      • 使用高動(dòng)態(tài)探測(cè)器可以測(cè)量所有感興趣的元素(包括 H、D、O、Li、Na、C、N 等)。

      • 可選附件單色儀配備的也是高動(dòng)態(tài)探測(cè)器,可在image模式下做全譜掃描,極大的增加了設(shè)備的靈活性。

      • 脈沖式射頻源,可選擇在常規(guī)射頻模式和脈沖式射頻模式下工作,且可全自動(dòng)匹配。

      • 輝光源采用差速雙泵真空系統(tǒng),可為SEM制備樣品。

      • 內(nèi)置等離子清洗功能。

      • 超快速濺射模式UFS可快速分析聚合物和有機(jī)材料。

      • 內(nèi)置的微分干涉儀DIP,可直接在線測(cè)定深度。

      • 用于異形樣品測(cè)試的各種銅陽(yáng)極和附件。

      • Windows 10 軟件 – 為遠(yuǎn)程安裝提供多個(gè)副本

      應(yīng)用:

      脈沖式射頻GD-OES分析含有金屬和金屬氧化物納米顆粒的薄膜



      HORIBA Scientific 是法國(guó)研究項(xiàng)目的合作伙伴,在同一個(gè)腔室中將納米粒子噴霧耦合到 PVD 生長(zhǎng)層上。許多關(guān)于這類新材料的研究都使用脈沖式射頻 GD-OES 來(lái)分析顆粒的深度分布和復(fù)合層的厚度。

      脈沖式射頻 GD-OES表征鋰電池電極的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。



      鋰電池是一種可充電電池,通過(guò)鋰離子在陽(yáng)極和陰極之間遷移,產(chǎn)生電流。無(wú)論您是研究新電極、涂層行為、充電和放電過(guò)程、過(guò)程控制,還是對(duì)鋰電池進(jìn)行性能比較研究,脈沖式射頻GD-OES都是有價(jià)值的測(cè)試工具。


      日本HORIBA堀場(chǎng)  RP-1

      光罩/掩膜顆粒去除設(shè)備

      RP-1 通過(guò)空氣(或 N2)和真空抽吸自動(dòng)去除光罩/掩膜上的顆粒。在光刻工藝前定期去除顆??裳娱L(zhǎng)薄膜的更換周期和掩膜的清洗周期,從而降低運(yùn)行成本。


      事業(yè)部: 半導(dǎo)體
      產(chǎn)品分類: 計(jì)量學(xué)

      制造商: HORIBA, Ltd.







      • 減少操作人員的日常工作,防止人為損壞薄膜
      • 消除人工操作,防止靜電放電損壞
      • 在光罩存儲(chǔ)設(shè)備中存儲(chǔ)掩膜的前后去除顆粒,可以延長(zhǎng)掩膜壽命
      • 結(jié)合 PR-PD 系列光罩/掩膜顆粒檢測(cè)系統(tǒng),可確認(rèn)去除顆粒后光罩/掩膜的狀態(tài)。


       



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